SEDEX 2026 가보니…
中 CXMT 등 추격 속 위기 직면
zHBM·zNAND-O 등 기술전시
안현 사장 "데이터 병목해소 중요"
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zHBM·zNAND-O 등 기술전시
안현 사장 "데이터 병목해소 중요"
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14일 서울 강남구 삼성동 코엑스에는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 반도체 제조·소재·부품·장비 기업 등 약 300개사가 모였다. 첫날부터 수많은 관람객이 전시장을 찾으면서 주요 부스가 붐볐다. 양사는 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 발전해 온 AI 메모리 기술과 함께 서버부터 PC·모바일까지 다양한 응용처에 필요한 제품을 선보였다.
부스 투어에서는 양사 경영진이 차세대 기술을 두고 대화를 나누기도 했다. 이준석 개혁신당 의원이 HBM과 고대역폭플래시(HBF)의 차이를 묻자 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 HBF 기술을 설명했고, 이를 들은 송재혁 삼성전자 사장은 "기대하고 있겠습니다"라고 말했다.
송 사장은 부스 투어를 마친 뒤 중국의 4F스퀘어 기술 대비 경쟁력을 묻는 질문에는 "저희도 열심히 하고 있습니다"라고 답했다. 구체적인 기술 수준이나 개발 현황에 대한 설명은 덧붙이지 않았다.
삼성전자 부스에서는 데이터 이동의 효율을 높이려는 기술 방향을 확인할 수 있었다. 올해 부스는 'Architecting AI Systems'를 주제로 차세대 기술과 클라우드 AI, 엣지 AI, 피지컬 AI, 반도체 클러스터, 상생협력 등 6개 존으로 구성했다. AI가 활용되는 환경에 따라 필요한 반도체를 제시하면서 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 통합 역량을 강조했다.
차세대 기술 공간에는 HBM4E와 함께 zHBM·zNAND-O 모형이 자리했다. 연산 장치와 메모리의 거리를 좁히거나 기기 내 AI 처리에 맞춘 기술로, 모형을 통해 차세대 반도체의 구조를 살펴볼 수 있도록 했다. 칩을 연결하는 첨단 패키징과 빛으로 데이터를 전송하는 기술도 함께 소개하며 AI 시스템 전반의 효율을 높이려는 방향을 제시했다.
칩을 만들고 연결하는 기술도 함께 전시했다. 삼성전자는 4나노 공정을 적용한 HBM4E 베이스다이와 실리콘 브릿지 기반의 확장형 초고집적 패키징 기술 '2.3D Cube-E', 3차원 패키징 기술 '3D Cube-H'도 소개됐다.
SK하이닉스 부스는 하나의 육상 트랙을 따라 전시를 둘러보는 형태로 꾸려졌다. 매 시간마다 새로운 기술이나 발표를 통해 '멈추지 않고 나아가는 AI 여정'이라는 주제를 강조했다. 또 관람객이 동선을 따라 기술 비전과 글로벌 네트워크, 주요 제품을 차례로 살펴볼 수 있도록 했다. 전시장 내 최대 규모의 공간에 AI 서버부터 PC·모바일까지 이어지는 메모리 제품군을 담았다.
HBM 개발 역사 전시물과 HBM·HBF 구조 모형은 메모리 기술의 발전 과정과 다음 단계의 방향을 함께 보여줬다. HBF는 낸드플래시를 활용해 AI에 필요한 대량의 데이터를 빠르게 공급하려는 차세대 메모리다. 기존 HBM과 함께 전시해 속도와 용량을 동시에 확보하려는 기술 방향을 소개했다.
엔비디아 베라 루빈 슈퍼칩과 젠슨 황 최고경영자(CEO)의 사인이 새겨진 HBM 웨이퍼도 전시됐다. 차세대 메모리 모형과 함께 주요 고객사와의 협력을 보여주는 전시물을 배치하며 AI 시장에서의 파트너십을 강조했다.
이날 기조연설에서도 메모리 병목 해소가 주요 과제로 제시됐다. 안현 사장은 AI 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해 대비 약 19배로 커질 것으로 전망했다. 그는 "처리 데이터가 늘어나며 메모리 계층 간 데이터 이동이 중요해지는 상황에서, 데이터 이동의 병목 해소가 중요하다"고 강조했다.
